Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя

Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя

29. Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя

Время задержки при включении

Turn-on delay time

tзд.из

Интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов


Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации. . 2015.

Игры ⚽ Поможем написать курсовую

Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»